Новости науки и техники

Touring, вот нарисован у вас на картинке литограф 2021 года.
Немаленькая такая штука. Дорогая.
А сколько их штук покупают себе TSMC или SMIC?
Сколько их нужно, чтобы успевать рисовать в нужном количестве кристаллы самых топовых изделий микроэлектроники?
 
Реклама
Практический пример ниже.

Второй важнейший параметр, количество обрабатываемых пластин в час, журналисты тоже упускают. ASML начинала в 86-м с PAS 2500/10 с выхода в 70 пластин 125-мм диаметра в час, что давало чуть более 1 минуты на пластину, включая время на её подачу, совмещение, фокусирование, экспонирование, повторение, выгрузку.

Прогрессивных для 89-го года чипов, i486, размером 10.5х15.7 мм...

1.2.jpg


...на 125-мм пластине помещается 48 штук.

125.png


Что даёт 1.07 секунды на чип, за минусом времени на работу с пластиной. На экспонирование каждого чипа нужно 0.3 с, и 0.2 с на шаг смещения в 16 мм. Отсюда, нужна скорость позиционирования пластины порядка 0.1 м/с, и выдерживаемые приводом ускорения-замедления порядка 1g. Для контроля пластины по координатам X/Y/Z и углу применены линейные электродвигатели, подвес воздушный.

В свою очередь время экспонирования, 0.3 с, зависит от дозы, требуемой для устойчивой работы применяемого фоторезиста (HPR 204, с минимальным размером элемента 900 нм, при толщине слоя в 1 мкм), в g-line 436 нм спектральном диапазоне. Доза, с учётом потерь в спектральном фильтре, оптическом транспорте, защитной маске фотошаблона, и системе проекции (Zeiss 10-78-46), определяет мощность источника излучения в 350 Вт электрических (газоразрядная лампа Osram HBO 350).
 
Последнее редактирование:
EUV установка ASML Twinscan NXE 3600D (3 нм) даёт выход в 160 пластин 300 мм диаметра в час, что даёт 37 секунд на пластину, на всё (DUV Twinscan (12-38 нм) выдают лютые 300-330 пластин 300 мм диаметра в час, это даёт 18-20 секунд на пластину).

Современных младших чипов Apple M3, выполненных на EUV 3 нм ноде, c их 25 миллиардами транзисторов (в 22 тысячи раз больше чем у i486), и физическим размером чипа в 12.5х12.5 мм (очень близким к i486)...

M3.jpeg


...на 300-мм пластине помещается 376 штук.

300.png


Стала нужна в разы большая скорость позиционирования и пластины и фотошаблона.
 
Последнее редактирование:
Touring сказал(а):
Практический пример ниже.

Второй важнейший параметр, количество обрабатываемых пластин в час, журналисты тоже упускают. ASML начинала в 86-м с PAS 2500/20 с выхода в 70 пластин 150-мм диаметра в час, что давало чуть более 1 минуты на пластину, включая время на её подачу, совмещение, фокусирование, экспонирование, повторение, выгрузку.

Прогрессивных для 89-го года чипов, i486, размером 10.5х15.7 мм...

Посмотреть вложение 856788

...на 150-мм пластине помещается 74 штуки.

Посмотреть вложение 856816

Что даёт 0.7 секунды на чип, за минусом времени на работу с пластиной. На экспонирование каждого чипа нужно 0.2 с, и 0.23 с на шаг смещения в 16 мм. Отсюда, нужна скорость позиционирования пластины порядка 0.1 м/с, и выдерживаемые приводом ускорения-замедления порядка 1g. Для контроля пластины по координатам X/Y/Z и углу применены линейные электродвигатели, подвес воздушный.

В свою очередь время экспонирования, 0.2 с, зависит от дозы, требуемой для устойчивой работы применяемого фоторезиста (HPR 204, с минимальным размером элемента 900 нм, при толщине слоя в 1 мкм), в g-line 365 нм спектральном диапазоне. Доза, с учётом потерь в спектральном фильтре, оптическом транспорте, защитной маске фотошаблона, и системе проекции (Zeiss 10-78-52), определяет мощность источника излучения в 500 Вт электрических (газоразрядная лампа Osram HBO 500).
Нажмите, чтобы раскрыть...
Не понятно из текста: за одну 30-60 секунд все слои экспонируются или один слой?
Больше похоже на 1 экспонирование пластины за полминуты.
 
SDA сказал(а):
Не понятно из текста: за одну 30-60 секунд все слои экспонируются или один слой?
Нажмите, чтобы раскрыть...
Так все слои же невозможно экспонировать за один проход. Там между экспонированиями двух слоёв как минимум нужны травление маски, создание нужного слоя в/на полупроводнике, смывание остатков старого и нанесение нового фоторезиста.
 
Kit. сказал(а):
Так все слои же невозможно экспонировать за один проход. Там между экспонированиями двух слоёв как минимум нужны травление маски, создание нужного слоя в/на полупроводнике, смывание остатков старого и нанесение нового фоторезиста.
Нажмите, чтобы раскрыть...
Я это понимаю.
Вопрос мой был о потребном количестве самых навороченных литографов для современных крупнейших фабрик.
Сколько их там штук стоит?
 
Назад